三維白光干涉輪廓儀是一種基于光學干涉原理的非接觸式表面形貌測量儀器，其核心原理是通過分析白光干涉條紋的相位變化實現亞納米級縱向分辨率。當照明光束經分光鏡分為兩束后，分別投射至樣品表面與參考鏡表面，反射光在CCD相機感光面疊加形成明暗相間的干涉條紋。由于白光光譜范圍寬，干涉條紋僅在兩束光光程差接近零時呈現高對比度，通過掃描過程中實時捕捉干涉條紋的峰值位置，結合壓電陶瓷驅動的垂直位移系統(tǒng)，可精確計算樣品表面各點的相對高度，最終通過三維重建算法生成表面形貌數據。

　　在結構方面，該儀器采用模塊化設計，主要包括光學干涉模塊、精密掃描模塊與數據處理模塊。光學干涉模塊采用Mirau型或Linnik型干涉物鏡，確保參考光與測量光共路傳輸以降低環(huán)境干擾；精密掃描模塊通過壓電陶瓷實現0-150μm范圍內的納米級垂直位移，配合步進電機擴展至15mm測量范圍，滿足從納米級粗糙度到毫米級臺階高度的多尺度檢測需求；數據處理模塊集成干涉條紋分析算法與三維重建引擎，可自動提取表面粗糙度（Ra≤0.1nm）、臺階高度等參數，并支持ISO25178標準下的形貌分析。

　　關鍵技術突破集中于垂直掃描精度與抗干擾能力。例如，采用閉環(huán)控制的壓電陶瓷驅動技術，結合高線性度位移傳感器，將Z向重復定位精度提升至0.01nm（RMS）；針對低反射率表面，通過優(yōu)化干涉物鏡數值孔徑與光源光譜分布，使反射率兼容范圍擴展至1%-100%；在復雜表面測量中，引入傾斜/俯仰光學頭補償技術，有效降低表面坡度對干涉信號的影響，提升臺階測試重復性至<0.1%（@1σ）。這些技術進展使其在半導體晶圓減薄、光學透鏡拋光、MEMS器件表征等領域成為關鍵檢測設備。